Kristallbildung & Wachstum
Homogene Nukleation
Spontane Keimbildung in der Bulk-Phase ohne äußere Grenzflächen. Erfordert hohe Übersättigung aufgrund der Oberflächenenergie-Barriere.
Heterogene Nukleation
Keimbildung an Grenzflächen, Fremdpartikeln oder Defekten. Niedrigere Aktivierungsenergie durch reduzierte Oberflächenenergie.
Sekundäre Nukleation
Keimbildung durch mechanische Fragmentierung existierender Kristalle oder durch Oberflächenrauheit induzierte Nukleation.
- Schicht-für-Schicht-Wachstum: Sequenzielle Vervollständigung atomarer Schichten
- Schraubenversetzungswachstum: Spiralwachstum um Schraubenversetzungen
- Dendritsches Wachstum: Verzweigtes Wachstum bei hoher Übersättigung
- Sektorwachstum: Anisotropes Wachstum verschiedener Kristallflächen
Oberflächenreaktion
Einbaurate von Bausteinen an der Kristall-Fluid-Grenzfläche. Abhängig von Oberflächenenergie und Bindungsstärke.
Diffusionskontrolle
Transport von Komponenten zur wachsenden Oberfläche durch Diffusion in der umgebenden Phase.
Advektion
Konvektiver Transport in Fluiden kann Diffusionslimitierung überwinden und Wachstumsraten erhöhen.
- Wulff-Konstruktion: Gleichgewichtsmorphologie basierend auf Oberflächenenergien
- Kinetische Formen: Morphologie unter Wachstumsbedingungen fernab vom Gleichgewicht
- Habit-Modifikation: Änderung der Kristallform durch Additives oder Lösungsmittel
- Tracht vs. Habitus: Unterscheidung zwischen möglichen und tatsächlichen Flächen
Punktdefekte
Leerstellen, Zwischengitteratome und Substitutionsdefekte beeinflussen optische und mechanische Eigenschaften.
Liniendefekte
Versetzungen ermöglichen plastische Deformation und beeinflussen Wachstumsmorphologie.
Flächendefekte
Zwillingsgrenzen, Stapelfehler und Korngrenzen entstehen durch Wachstumsstörungen.
Flüssigkeitseinschlüsse
Eingeschlossene Mutterlauge liefert Informationen über Bildungsbedingungen.
- Temperatur: Beeinflusst Nukleationsrate, Wachstumsgeschwindigkeit und Morphologie
- Übersättigung: Treibende Kraft für Nukleation und Wachstum
- pH-Wert: Beeinflusst Löslichkeit und Oberflächenladung
- Ionenstärke: Elektrostatische Wechselwirkungen beeinflussen Wachstum
Hydrothermale Synthese
Kristallwachstum in wässrigen Lösungen bei erhöhten Temperaturen und Drücken. Simuliert natürliche Bedingungen.
Fluss-Methoden
Verwendung von Flussmitteln zur Reduzierung der Kristallisationstemperatur und Kontrolle des Wachstums.
Vapor-Transport
Kristallwachstum durch chemischen Transport in der Gasphase, wichtig für refraktäre Materialien.
- In-situ-Mikroskopie: Echtzeitbeobachtung von Wachstumsprozessen
- Atomkraftmikroskopie: Hochauflösende Oberflächenstrukturanalyse
- Röntgentopographie: Visualisierung von Kristalldefekten und Spannungen
- Neutronenstreuung: Strukturanalyse und Dynamik in kristallinen Systemen
Magmatische Kristallisation
Kristallisation aus Silikatschmelzen bei hohen Temperaturen. Fraktionierte Kristallisation erzeugt Gesteinsdifferentiation.
Hydrothermale Kristallisation
Kristallwachstum aus heißen wässrigen Lösungen in der Erdkruste. Bildung von Erzlagerstätten und Mineralgängen.
Metamorphe Rekristallisation
Neubildung von Kristallen unter veränderten P-T-Bedingungen ohne Schmelzbildung.